|
П.: ученый; вице-през.; Орг.: РАН; АОрг.: 119091, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 32 А; Р.: 15.03.1930, Белорусская ССР, г. Витебск; СП.: Дарская Тамара Георгиевна – работник одного из предпр-ий космич. отрасли (РКК «Энергия»); Род.: Иван Карпович – рабочий з-да «Лесснер», гусар, унтер-офицер лейб-гвардии, Георгиевский кавалер, в 1917 вступил в партию большевиков, участвовал в гражд. войне, был командиром кавалерийского полка Красной армии, встречался с В.И. Лениным, Л.Д. Троцким, Б.Е. Думенко, впоследствии стал дир. з-да, нач. треста, Анна Владимировна – работник библ.; О.: 1952 – Ленингр. электротехн. ин-т им. В.И. Ульянова (Ленина), ф-т электроники, электровакуумная техника; 1961 – к.техн.н.; 1970 – д.физ.-мат.н.; 1972 - проф.; К.: с 1953 – Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН, 1953–64 – м.н.с. (сформировал осн. идеи), 1964–67 – ст.н.с., 1967–87 – зав. лаб. (сделал осн. эксперим. открытия), 1987-03 – дир., 2003 – науч. рук.; 1990-91 - АН СССР, вице-през., Презид. Ленингр. науч. центра, пред.; с 1991 - вице-през. РАН, Презид. СПб науч. РАН, пред.; с 1972 – Ленингр. электротехн. ин-т (СПб электротехн. ун-т), проф., 1973-04 – зав. базовой каф. оптоэлектроники; с 1988 – Ленингр. политехн. ин-т (СПбГТУ), декан физ.-техн. ф-та; с 2002 – Академич. физ.-технолог. ун-т, рект.-организатор; руководил созданием Науч.-образоват. центра (НОЦ); журн. «Письма в Журнал технической физики», гл. ред.; 1989-92 – нар. деп. СССР, с 1995 – деп. ГД Федерал. Собрания РФ; с 2000 – чл. Ком. по науке и образ. ГД; ОД.: провел уник. исслед. полупроводниковых гетероструктур и создал на их основе нов. приборы (в т. ч. низкопороговые, работающие при комнатной температуре лазеры); УОрг.: сфера науч. интересов: разраб. в обл. физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, техн. физики; принимал участие в создании перв. отечеств. транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей; открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах и показал, что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками; создал "идеальные" полупроводниковые гетероструктуры; исслед. Ж.И. Алферова фактически создано нов. направление - гетеропереходы в полупроводниках; считает себя учеником ак. В.М. Тучкевича и А.М. Прохорова; явл. основоположником науч. шк. «Физика полупроводниковых гетероструктур и их применение»; подготовил 48 к. н., 15 д. н.; наиб. изв. предст. его шк.: чл.-корр. РАН Д.З. Гарбузов и Н.Н. Леденцов, д.физ.-мат.н.: В.М. Андреев, В.И. Корольков, С.Г. Конников, С.А. Гуревич, Ю.В. Жиляев, П.С. Копьев и др.; автор более 50 изобр.; руководит совр. проектом в обл. полупроводниковых наноструктур и квантово-размерных явл. в полупроводниках; Пб.: автор более 500 науч. работ, в т.ч. 4 моногр.; осн. труды: Electroluminescence of heavily doped AlxGa1-xAs-GaAs heterojunctions (1969), «Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре» (1969, в соавт-ве), «Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе AlAs-GaAs на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной температуре» (1970, в соавт-ве); «Физика и жизнь» (2000); Н.: медаль Балантайна ин-та Франклина (США, 1971) - "За теор. и эксперим. исслед. двойных лазерных гетероструктур, благодаря кот. были созданы источники лазерного излучения мал. размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре", Ленинская прем. (СССР, 1972) - "За фундамент. исслед. геторопереходов в полупроводниках и создание нов. приборов на их основе", Хьюллет-Паккардовская прем. Европ. физ. общ-ва - "За нов. работы в обл. гетеропереходов" (1978), Госпремия (СССР, 1984) - "За разраб. изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений A3B5", награда Симпозиума по GaAs (1987) - "За пионерские работы в обл. полупроводниковых гетероструктур на основе соединений III-V гр. и разраб. инжекционных лазеров и фотодиодов", медаль Х. Велькера (1987) - "За пионерские работы по теории и технологии приборов на основе соединений III-V гр.", прем. А.П. Карпинского (ФРГ, 1989) - "За вклад в развитие физики и техники гетероструктур", прем. им. А.Ф. Иоффе РАН (РАН, 1996) - ''За цикл работ «'Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур»'', Демидовская прем. (РФ,1999), медаль А.С. Попова (РАН, 1999), прем. Ника Холоньяка (Оптич. общ-во США, 2000), Нобелевская прем. - «За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники» (Швеция, 2000), прем. «Рос. Нац. Олимп». Титул «Чел.-легенда» (РФ, 2001), прем. Киото (Инамори фонд, Япония, 2001) – «За успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах – пионерский шаг в оптоэлектронике», Госпрем. (РФ, 2001), прем. В.И. Вернадского (НАН Украины, 2001), награда «Зол. тарелка» (Акад. достижений, США, 2002), Зол. медаль (SPIE, 2002), Межд. энергетическая прем. «Глобальная энергия» (Россия, 2005), ордена: «Знак Почета» (1959), «Трудового Красного Знамени» (1975), Окт. Революции (1980), Ленина (1986), 3 медали СССР, орден России «За заслуги перед Отечеством (I, II и III степ.) (1999), медали РФ, орден Франциска Скорины – Респ. Беларусь (2002), орден Ярослава Мудрого – Украина (2003), им. Жореса Алферова в 2001 названа мал. планета (астероид); Ч.: поч. чл. Метрологической АН (СПб, 1994), поч. доктор Ин-та общей и ядерной физики РНЦ «Курчатовский ин-т»(1998), ин. чл. Оптич. общ-ва США (1997), поч. ак. Межд. акад. холода (1997), пожизненный чл. Франклиновского ин-та (США, 1971), поч. чл. Общ-ва физики и технологии полупроводников Пакистана (1996), доктор Honoris Causa Нац. инж. ун-та (Перу, 2002), доктор Honoris Causa Пед. ин-та Сан Маркос (Перу, 2002), доктор Honoris Causa Ун-та Пловдива (Болгария, 2002)и др.; ин. чл. нац. АН разл. стран ( в т. ч. АН ГДР (1987), Польской АН (1988), АН Украины (2000) и др.).; поч. проф. Гаванского ун-та (Куба, 1987), ин. чл. нац. инж. Акад. (США, 1990); У.: плав., история 2-й мировой войны; Яз.: англ., нем.; Email: Zhores.Alferov@ras.ru;
|
